העכער BIPV זונ פּאַנעל גלאז מיט העכסט עפעקטיוו AR קאָוטינג טעכנאָלאָגיע

קורץ באַשרייַבונג:

√ סאָרט DONGKE
√ פּראָדוקט אָנהייב האַנגזשאָו, טשיינאַ
√ עקספּרעס צייט 7-15 טעג
√ צושטעלן קאַפּאַציטעט 2400.0000 סקם / יאָר
3.2 מם הינטער קלאָר זונ - גלאז פֿאַר BIPV מאָדולע
3.2 מם הינטער קלאָר זונ - גלאז איז אויך גערופן פאָטאָוואָלטאַיק גלאז וואָס איז דער הויפּט געניצט אויף זונ - טאַפליע ווייַל פון זיין סופּער ליכט טראַנסמיטטאַנס קורס. זונ - טאַפליע איז אַ דין פּלאַסט פון אָפּטאָעלעקטראָניק סעמיקאַנדאַקטער וואָס קאַנווערטינג זונ - ענערגיע אין עלעקטרע. דורך קאַנסידערינג זייַן עפעקטיווקייַט, מיר נוצן הויך טראַנסמיטטאַנס און נידעריק אָפּשפּיגלונג גלאז פֿאַר זייַן טאַפליע. דעם הויך שטאַרקייט גלאז האלט די בעסטער בילד קוואַליטעט דורך ילימאַנייטינג אַנוואָנטיד דיסטאָרשאַנז מיט די אַוואַנסירטע אָפּטיש טעכנאָלאָגיע.

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

שטריך

1.טהיקנעסס: 2.5מם ~ 10מם;
2.סטאַנדאַרד גרעב: 3.2מם און 4.0מם
3.טהיקקנעסס טאָלעראַנץ: 3.2מם± 0.20מם; 4.0מם± 0.30מם
4.מאַקס גרייס: 2250 מם × 3300 מם
5.מינ גרייס: 300 מם × 300 מם
6.סאָלאַר טראַנסמיטטאַנסע (3.2מם): ≥ 91.6%
7.יראָן אינהאַלט: ≤ 120פּפּם פע2אָ3
8.פּאָיססאָן ס פאַרהעלטעניש: 0.2

9.געדיכטקייַט: 2.5 ג/קק
10. יונג ס מאָדולע: 73 גפּאַ
11. טענסאַל סטרענגטה: 42 מפּאַ
12. העמיספעריקאַל עמיסיוויטי: 0.84
13. יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט: 9.03x10-6 / ° סי
14.סאָפטינג פונט: 720 ° C
15. אַנילינג פונט: 550 ° C
16. שפּאַנונג פונט: 500 ° סי

ספּעסאַפאַקיישאַנז

תּנאָים	צושטאַנד
גרעב קייט	2.5 מם צו 16 מם (סטאַנדאַרד גרעב קייט: 3.2 מם און 4.0 מם)
גרעב טאָלעראַנץ	3.2 מם ± 0.20 מם 4.0 מם ± 0.30 מם
זונ טראַנסמיטטאַנס (3.2 מם)	מער ווי 93.68%
אייַזן אינהאַלט	ווייניקער ווי 120ppm Fe2O3
געדיכטקייַט	2.5 ג/קק
יאָונגס מאָדולע	73 גפּאַ
טענסאַל סטרענגטה	42 מפּאַ
יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט	9.03x10-6/
אַנילינג פונט	550 סענטיגראַדע דיגריז